快科技 4 月 25 日音信，如今的高端推断芯片越来越稠密，台积电也在念念尽目的纰漏哥也色中文娱乐站，如今正在深刻推动 CoWoS 封装本领，堪称不错打造面积接近 8000 泛泛毫米、功耗 1000W 级别的巨型芯片，而性能可比模范处理器提升足足 40 倍。
现在，台积电 CoWoS 封装芯片的中介层面积最大不错作念到 2831 泛泛毫米，是台积电光罩尺寸极限的有时 3.3 倍—— EUV 极紫外光当前的光罩最大不错作念到 858 泛泛毫米，台积电用的是 830 泛泛毫米。
NVIDIA B200、AMD MI300X 等芯片，用的皆是这种封装，将大型推断模块和多个 HBM 内存芯片整合在悉数。
来岁或稍晚些时辰，台积电会推出下一代 CoWoS-L 封装本领，中介层面积不错作念到 4719 泛泛毫米，是光罩极限的有时 5.5 倍，同期需要 10000 泛泛毫米 ( 100x100 毫米 ) 的大型基板。
它不错整合最多 12 颗 HBM 内存，包括下一代 HBM4。
这还不算完，台积电还缱绻进一步将中介层作念到 7885 泛泛毫米，也便是光照极限的约 9.5 倍，并需要 18000 泛泛毫米的基板，从而封装最多 4 颗推断芯片、12 颗 HBM 内存，以出奇他 IP。
要知说念，这照旧突出了一个模范的 CD 光盘盒 ( 一般 142×125 毫米 ) ！
仍然没完，台积电还在陆续估量SoW-X 晶圆级封装本领，现在惟一 Cerabras、特斯拉使用。
如斯巨型芯片除了需要复杂的封装本领，更会带来高功耗、高发烧的挑战，台积电展望能达到 1000W 级别。
为此，台积电缱绻在 CoWoS-L 封装内的 RDL 中介层上，平直集成一整颗电源措置 IC，从而裁减供电距离，减少有源 IC 数目，责怪寄生电阻，转换系统级供电后果。
车震视频这颗电源措置 IC 会使用台积电 N16 工艺、TSV 硅通孔本领制造。
散热方面，直触式液冷、浸没式液冷，皆是必须要酌量的。
另外，OAM 2.0 模块情势的尺寸为 102×165 毫米，100×100 毫米基板照旧接近极限，120×150 毫米就突出了，因此需要行业同步制定新的 OAM 情势模范。
